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　　得益于(yú )政策利好与技术突破的双轮驱动，未来(lái )3年至5年，脑(nǎo )机接口医疗(liáo )产品有望迎来爆发期。太平洋证券分析指出，脑机(jī )接口技术近(jìn )年来从实验(yàn )室研究大步迈向市场应用，展现出蓬勃(bó )发展态势。当下，侵入(rù )式和非侵入(rù )式产品研发均有序推进。尽管该技术仍(réng )处于早期发(fā )展阶段，但(dàn )研发和应用(yòng )潜力巨大；随着技术的迭代和伦理规范(fàn )的健全完善(shàn )，脑机接口(kǒu )有望让科技之光加速照进现实。

　　相较于硅基半(bàn )导体，以碳(tàn )化硅和氮化(huà )镓为代表的宽禁带半导体在材料端至器件端的性能(néng )优势突出，具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温等特点(diǎn )，是未来半(bàn )导体行业发(fā )展的重要方(fāng )向。其中，碳化硅的高禁带宽度、高击(jī )穿电场强度(dù )、高电子饱(bǎo )和漂移速率(lǜ )和高热导率等特性，使其在电力电子器(qì )件等应用中(zhōng )发挥着至关(guān )重要的作用。碳化硅材料在功率半导体器件、射频(pín )半导体器件(jiàn )及新兴应用(yòng )领域具有广阔的市场应用潜力。光大证(zhèng )券指出，随(suí )着AI数据中心(xīn )、AR眼镜等行(háng )业的增长，碳化硅行业将随之快速增长(zhǎng )。国内碳化(huà )硅衬底企业(yè )持续投资扩(kuò )张产能，有望持续扩大市场份额。

　　产能释放叠(dié )加规模化效(xiào )应，这类材料应用场景不断拓展

　　机构称三星减(jiǎn )少DDR4供应，DDR4可(kě )能供不应求(qiú )到第3季度

　　根据CFM闪存市场报道，现货(huò )旧制程DRAM资源(yuán )供应缺货涨(zhǎng )价延续，存(cún )储厂商针对渠道内存条、行业内存条及(jí )LPDDR4X等产品现货(huò )价格坚定持(chí )报涨态度。甬兴证券研报称，受益于供应端推动涨(zhǎng )价、库存逐(zhú )渐回归正常(cháng )、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升。

　　得益于政策(cè )利好与技术(shù )突破的双轮驱动，未来3年至5年，脑机接(jiē )口医疗产品(pǐn )有望迎来爆(bào )发期。太平(píng )洋证券分析指出，脑机接口技术近年来(lái )从实验室研(yán )究大步迈向(xiàng )市场应用，展现出蓬勃发展态势。当下，侵入式和(hé )非侵入式产(chǎn )品研发均有(yǒu )序推进。尽管该技术仍处于早期发展阶段，但研发(fā )和应用潜力(lì )巨大；随着(zhe )技术的迭代和伦理规范的健全完善，脑(nǎo )机接口有望(wàng )让科技之光(guāng )加速照进现(xiàn )实。

　　媒体报道，近期，多家企业陆(lù )续披露了其(qí )在固态电池(chí )领域的最新(xīn )进展和量产时间。业界认为，凭借高能(néng )量密度、高(gāo )安全性和快(kuài )速充电能力，固态电池有望成为下一代电池的主流(liú )技术路线之(zhī )一。随着技(jì )术研发与成本瓶颈不断突破，固态电池(chí )的产业化进(jìn )程正在加速(sù )，未来有望(wàng )在低空经济、机器人、新能源汽车等多(duō )重场景得到(dào )广泛应用。

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