古麒绒材上市第二个交易日跌15.56%
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      国轩高科(kē )表示,公司首条全固态中(zhōng )试线(xiàn )已正式(shì )贯通,金石全固态(tài )电池PACK系(xì )统已完成初步开发(fā )应用(yòng )工作,并开启装车路测。并且,近期(qī )清陶在成都基地15GWh固(gù )态电池(chí )已收到环评审批意(yì )见,此(cǐ )外,德尔股份及冠盛股(gǔ )份等均(jun1 )有固态电池量产线推进计(jì )划。

      产能释放叠加(jiā )规模化(huà )效应,这类材料应用场景(jǐng )不断拓(tuò )展

      机构称三星(xīng )减少(shǎo )DDR4供应,DDR4可能供不应求到第(dì )3季度

      上市公司中,中(zhōng )洲特(tè )材是核(hé )电公司的上游供应(yīng )商,生(shēng )产的(de )阀门、焊材等产品(pǐn )已为中(zhōng )核、中广核、国核(hé )等核电(diàn )设施(shī )配套。国光电气在(zài )互动易(yì )表示超导材料作为磁约束(shù )可控(kòng )核(hé )聚变装置的一项(xiàng )关键材(cái )料,其进步将有力的推动(dòng )磁约束(shù )可控核聚变工程化(huà )进度(dù )。公司(sī )所研制的偏滤器、第一壁(bì )等产品是可控核聚(jù )变装(zhuāng )置的核(hé )心零部件。

      据(jù )报道,近日(rì ),诺天碳化硅半导(dǎo )体设备(bèi )与基材生产基地项(xiàng )目投产(chǎn )仪式(shì )举行。上述项目总(zǒng )投资约(yuē )1.5亿元,于2024年2月签约落户株(zhū )洲高(gāo )新(xīn )区,项目主要生(shēng )产碳化(huà )硅半导体设备与基材,产(chǎn )品广泛(fàn )应用于碳化硅单晶(jīng )生长(zhǎng )与衬底(dǐ )制造、半导体材料(liào )石墨化(huà )纯化处理、先进陶(táo )瓷与(yǔ )复合材(cái )料研发、光伏、锂(lǐ )电领域(yù )高温(wēn )烧结等。

      市调(diào )机构集(jí )邦科技表示,三星(xīng )持续减(jiǎn )少DDR4供(gòng )应,预期DDR4供不应求(qiú )情况可(kě )能延续到今年第3季度,随(suí )着DDR4价(jià )格(gé )上涨,将加速用(yòng )户升级(jí )至DDR5。据集邦科技调查,DDR4现(xiàn )货价大(dà )幅扬升,6月以来DDR4 8Gb颗粒现(xiàn )货均价(jià )自2.73美元,攀高至4.28美(měi )元,上(shàng )涨逾5成;DDR4 16Gb颗粒现货(huò )均价(jià )自6.1美元(yuán ),扬升至9.5美元,涨(zhǎng )幅也达(dá )5成以(yǐ )上。

      USGS数据显示(shì ),2024年全(quán )球钴矿产量约为28.8万(wàn )金属吨(dūn ),其(qí )中刚果(金)钴矿产量(liàng )约为22万(wàn )金属吨,同比增长约25%,全(quán )球市(shì )场(chǎng )占比达到76.4%。国信(xìn )证券研(yán )报称,若按照2024年的产量作(zuò )为依(yī )据(jù ),刚果(金)禁止钴原料出(chū )口7个月(yuè )时间,至少将影响(xiǎng )今年全(quán )球钴原料供应达10万(wàn )金属(shǔ )吨以上(shàng ),或将造成国内钴(gǔ )原料供(gòng )应短(duǎn )缺的局面。从全年(nián )维度来(lái )看,对钴价持乐观(guān )态度,预计(jì )国内电钴价格有望(wàng )重回25万(wàn )元/吨上方运行。另外从长(zhǎng )期来(lái )看(kàn ),刚果(金)可能实(shí )施钴出(chū )口配额来提升对于钴的定(dìng )价权(quán ),钴价中枢有望抬升。

      相较(jiào )于硅基半导体,以(yǐ )碳化硅(guī )和氮化镓为代表的(de )宽禁(jìn )带半导(dǎo )体在材料端至器件(jiàn )端的性(xìng )能优(yōu )势突出,具备高频(pín )、高效(xiào )、高功率、耐高压(yā )、耐高(gāo )温等(děng )特点,是未来半导(dǎo )体行业(yè )发展的重要方向。其中,碳化(huà )硅(guī )的高禁带宽度、高击穿(chuān )电场强度、高电子饱和漂(piāo )移速(sù )率(lǜ )和高热导率等特性,使(shǐ )其在电(diàn )力电子器件等应用(yòng )中发挥(huī )着至关重要的作用(yòng )。碳(tàn )化硅材(cái )料在功率半导体器(qì )件、射(shè )频半(bàn )导体器件及新兴应(yīng )用领域(yù )具有广阔的市场应(yīng )用潜力(lì )。光(guāng )大证券指出,随着(zhe )AI数据中(zhōng )心、AR眼镜等行业的增长,碳化(huà )硅行业将随之快速(sù )增长。国内碳化硅衬底企业持续(xù )投资(zī )扩(kuò )张产能,有望持续扩大(dà )市场份额。

  • 主播猩嗳
  • 2026-01-01

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  产能释放叠加(jiā )规模化(huà )效应,这类材料应用场景(jǐng )不断拓(tuò )展

  机构称三星(xīng )减少(shǎo )DDR4供应,DDR4可能供不应求到第(dì )3季度

  上市公司中,中(zhōng )洲特(tè )材是核(hé )电公司的上游供应(yīng )商,生(shēng )产的(de )阀门、焊材等产品(pǐn )已为中(zhōng )核、中广核、国核(hé )等核电(diàn )设施(shī )配套。国光电气在(zài )互动易(yì )表示超导材料作为磁约束(shù )可控(kòng )核(hé )聚变装置的一项(xiàng )关键材(cái )料,其进步将有力的推动(dòng )磁约束(shù )可控核聚变工程化(huà )进度(dù )。公司(sī )所研制的偏滤器、第一壁(bì )等产品是可控核聚(jù )变装(zhuāng )置的核(hé )心零部件。

  据(jù )报道,近日(rì ),诺天碳化硅半导(dǎo )体设备(bèi )与基材生产基地项(xiàng )目投产(chǎn )仪式(shì )举行。上述项目总(zǒng )投资约(yuē )1.5亿元,于2024年2月签约落户株(zhū )洲高(gāo )新(xīn )区,项目主要生(shēng )产碳化(huà )硅半导体设备与基材,产(chǎn )品广泛(fàn )应用于碳化硅单晶(jīng )生长(zhǎng )与衬底(dǐ )制造、半导体材料(liào )石墨化(huà )纯化处理、先进陶(táo )瓷与(yǔ )复合材(cái )料研发、光伏、锂(lǐ )电领域(yù )高温(wēn )烧结等。

  市调(diào )机构集(jí )邦科技表示,三星(xīng )持续减(jiǎn )少DDR4供(gòng )应,预期DDR4供不应求(qiú )情况可(kě )能延续到今年第3季度,随(suí )着DDR4价(jià )格(gé )上涨,将加速用(yòng )户升级(jí )至DDR5。据集邦科技调查,DDR4现(xiàn )货价大(dà )幅扬升,6月以来DDR4 8Gb颗粒现(xiàn )货均价(jià )自2.73美元,攀高至4.28美(měi )元,上(shàng )涨逾5成;DDR4 16Gb颗粒现货(huò )均价(jià )自6.1美元(yuán ),扬升至9.5美元,涨(zhǎng )幅也达(dá )5成以(yǐ )上。

  USGS数据显示(shì ),2024年全(quán )球钴矿产量约为28.8万(wàn )金属吨(dūn ),其(qí )中刚果(金)钴矿产量(liàng )约为22万(wàn )金属吨,同比增长约25%,全(quán )球市(shì )场(chǎng )占比达到76.4%。国信(xìn )证券研(yán )报称,若按照2024年的产量作(zuò )为依(yī )据(jù ),刚果(金)禁止钴原料出(chū )口7个月(yuè )时间,至少将影响(xiǎng )今年全(quán )球钴原料供应达10万(wàn )金属(shǔ )吨以上(shàng ),或将造成国内钴(gǔ )原料供(gòng )应短(duǎn )缺的局面。从全年(nián )维度来(lái )看,对钴价持乐观(guān )态度,预计(jì )国内电钴价格有望(wàng )重回25万(wàn )元/吨上方运行。另外从长(zhǎng )期来(lái )看(kàn ),刚果(金)可能实(shí )施钴出(chū )口配额来提升对于钴的定(dìng )价权(quán ),钴价中枢有望抬升。

  相较(jiào )于硅基半导体,以(yǐ )碳化硅(guī )和氮化镓为代表的(de )宽禁(jìn )带半导(dǎo )体在材料端至器件(jiàn )端的性(xìng )能优(yōu )势突出,具备高频(pín )、高效(xiào )、高功率、耐高压(yā )、耐高(gāo )温等(děng )特点,是未来半导(dǎo )体行业(yè )发展的重要方向。其中,碳化(huà )硅(guī )的高禁带宽度、高击穿(chuān )电场强度、高电子饱和漂(piāo )移速(sù )率(lǜ )和高热导率等特性,使(shǐ )其在电(diàn )力电子器件等应用(yòng )中发挥(huī )着至关重要的作用(yòng )。碳(tàn )化硅材(cái )料在功率半导体器(qì )件、射(shè )频半(bàn )导体器件及新兴应(yīng )用领域(yù )具有广阔的市场应(yīng )用潜力(lì )。光(guāng )大证券指出,随着(zhe )AI数据中(zhōng )心、AR眼镜等行业的增长,碳化(huà )硅行业将随之快速(sù )增长。国内碳化硅衬底企业持续(xù )投资(zī )扩(kuò )张产能,有望持续扩大(dà )市场份额。

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