AI算力需求拉(lā )动下该细分(fèn )领域有望加速(sù )发展
该(gāi )国宣布将这(zhè )一金属出口临(lín )时禁令再延(yán )长三个月
这类半导体(tǐ )材料性能优(yōu )势突出,是未(wèi )来行业发展(zhǎn )的重要方向(xiàng )
相较于硅(guī )基半导体,以碳化硅和(hé )氮化镓为代表(biǎo )的宽禁带半(bàn )导体在材料(liào )端至器件端的(de )性能优势突(tū )出,具备高(gāo )频、高效、高(gāo )功率、耐高(gāo )压、耐高温(wēn )等特点,是未(wèi )来半导体行(háng )业发展的重(chóng )要方向。其中(zhōng ),碳化硅的(de )高禁带宽度、高击穿电场(chǎng )强度、高电(diàn )子饱和漂移速(sù )率和高热导(dǎo )率等特性,使其在电力电(diàn )子器件等应(yīng )用中发挥着(zhe )至关重要的作(zuò )用。碳化硅(guī )材料在功率(lǜ )半导体器件、射频半导体(tǐ )器件及新兴(xìng )应用领域具有(yǒu )广阔的市场(chǎng )应用潜力。光大证券指出(chū ),随着AI数据(jù )中心、AR眼镜(jìng )等行业的增长(zhǎng ),碳化硅行(háng )业将随之快速增长。国内(nèi )碳化硅衬底(dǐ )企业持续投资(zī )扩张产能,有望持续扩(kuò )大市场份额。
行业媒(méi )体报道,三(sān )星SDI正在天安工(gōng )厂建设的试(shì )验生产线“DryEV”上启动基于(yú )干法电极的(de )电池验证工(gōng )作,公司此前(qián )已完成实验(yàn )室性能测试(shì )。三星SDI正在考(kǎo )虑将干法电(diàn )极技术应用(yòng )于全固态电池(chí ),计划将其(qí )作为降低制造成本、提升(shēng )设备效率和(hé )量产速度的竞(jìng )争手段。
AI算力需求(qiú )拉动下该细分(fèn )领域有望加(jiā )速发展
根据高工锂电(diàn ),2025年1-4月,国(guó )内固态电池(chí )行业的扩产规(guī )划规模超过(guò )50GWh,拟投资总(zǒng )额约150亿元。申(shēn )万宏源证券(quàn )电新团队认(rèn )为,考虑到目(mù )前国内首条(tiáo )0.1GWh干法电极产(chǎn )线已正式投入(rù )运营,同时(shí )行业内诸多厂商纷纷聚焦(jiāo )硫化物技术(shù )路线,看好干法设备和硫(liú )化物电解质(zhì )是全固态电池(chí )的核心增量(liàng )。
这一(yī )战略性新兴产(chǎn )业迎来规模(mó )化发展的关(guān )键窗口期
产能释放叠(dié )加规模化效(xiào )应,这类材料(liào )应用场景不(bú )断拓展
相较于硅基半(bàn )导体,以碳(tàn )化硅和氮化(huà )镓为代表的宽(kuān )禁带半导体(tǐ )在材料端至(zhì )器件端的性能(néng )优势突出,具备高频、高效、高功率(lǜ )、耐高压、耐高温等特点(diǎn ),是未来半(bàn )导体行业发(fā )展的重要方向(xiàng )。其中,碳(tàn )化硅的高禁(jìn )带宽度、高击(jī )穿电场强度(dù )、高电子饱(bǎo )和漂移速率和(hé )高热导率等(děng )特性,使其(qí )在电力电子器(qì )件等应用中(zhōng )发挥着至关(guān )重要的作用。碳化硅材料(liào )在功率半导(dǎo )体器件、射频(pín )半导体器件(jiàn )及新兴应用领域具有广阔(kuò )的市场应用(yòng )潜力。光大证(zhèng )券指出,随(suí )着AI数据中心(xīn )、AR眼镜等行业(yè )的增长,碳(tàn )化硅行业将(jiāng )随之快速增长(zhǎng )。国内碳化(huà )硅衬底企业(yè )持续投资扩张(zhāng )产能,有望(wàng )持续扩大市(shì )场份额。
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