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　　阿(ā )里云将(jiāng )于本月(yuè )底在韩(hán )国启用(yòng )第二座数据中心，来满足生成式AI快速发展带(dài )来的需(xū )求增长(zhǎng )。

　　电极制作可采用湿法和干法工艺(yì )，目前(qián )行业多(duō )采用湿(shī )法涂浆(jiāng )方式制(zhì )作电极(jí )，近年(nián )干法工艺成为行业发展趋势。东方证(zhèng )券认为(wéi )，设备(bèi )是规模(mó )量产的(de )基石，有望成为降本突破口。通(tōng )过拆解(jiě )固态电(diàn )池核心(xīn )制造工(gōng )艺发现(xiàn )：干法(fǎ )工艺不仅是电池降本的有效手段，也是天然(rán )适配全(quán )固态电(diàn )池(chí )的制(zhì )片工艺；等静压的材料致密化能(néng )力或可(kě )迁移至(zhì )固态电(diàn )池中，改善孔(kǒng )隙率与(yǔ )电极/电(diàn )解质的界面复合问题；叠片在固态电(diàn )池装配(pèi )工艺中(zhōng )有望成(chéng )为主流(liú )，而设备精度要求大幅提升。全(quán )固态电(diàn )池获得(dé )全产业(yè )链的共(gòng )同关注(zhù )与合力(lì )布局，方向性与趋势性明确。当前工艺设备(bèi )成熟度(dù )不足成(chéng )为(wéi )固态(tài )电池产业化的主要桎梏之一，掌(zhǎng )握核心(xīn )设备供(gòng )应能力(lì )的厂商(shāng )有望受(shòu )益。

　　相较(jiào )于硅基半导体，以碳化硅和氮化镓为(wéi )代表的(de )宽禁带(dài )半导体(tǐ )在材料(liào )端至器件端的性能优势突出，具(jù )备高频(pín )、高效(xiào )、高功(gōng )率、耐(nài )高压、耐高温(wēn )等特点，是未来半导体行业发展的重要方向(xiàng )。其中(zhōng )，碳化(huà )硅(guī )的高(gāo )禁带宽度、高击穿电场强度、高(gāo )电子饱(bǎo )和漂移(yí )速率和(hé )高热导(dǎo )率等特(tè )性，使(shǐ )其在电(diàn )力电子器件等应用中发挥着至关重要(yào )的作用(yòng )。碳化(huà )硅材料(liào )在功率(lǜ )半导体器件、射频半导体器件及(jí )新兴应(yīng )用领域(yù )具有广(guǎng )阔的市(shì )场应用(yòng )潜力。光大证券指出，随着AI数据中心、AR眼镜等行业(yè )的增长(zhǎng )，碳化(huà )硅(guī )行业(yè )将随之(zhī )快速增长。国内碳化硅衬底企业(yè )持续投(tóu )资扩张(zhāng )产能，有望持(chí )续扩大(dà )市场份(fèn )额。

　　三星SDI正在考虑将干法电极技术应用(yòng )于全固(gù )态电池(chí )

　　全(quán )球首例！我国介入式脑机接口成(chéng )功实现(xiàn )人体患(huàn )肢运动(dòng )功能修(xiū )复

　　机构称(chēng )政策加速推进下固态电池正进入从0到1阶段

　　4月销(xiāo )售额实(shí )现同比(bǐ )环比双(shuāng )增长，该细分行业2025年或正迎来全(quán )面复苏(sū )

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