TCL科技强化董事会专业性与科学薪酬治理 筑牢ESG可持续发展根基
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      上市公(gōng )司中(zhōng ),中洲特材是核电公(gōng )司的(de )上游(yóu )供应商,生产的(de )阀门、焊(hàn )材等产品已为中(zhōng )核、中广(guǎng )核、国核等核电(diàn )设施配套(tào )。国光电(diàn )气在互(hù )动易表示(shì )超导材料(liào )作为磁(cí )约束可控(kòng )核聚变装(zhuāng )置的一(yī )项关键材(cái )料,其进(jìn )步将有(yǒu )力的推动(dòng )磁约束可控核聚(jù )变工程化(huà )进度。公司所研制的偏滤(lǜ )器、第一壁等产品是(shì )可控(kòng )核聚变装置的核心零(líng )部件(jiàn )。

      媒体报道,近(jìn )日,半导(dǎo )体个股密集获连(lián )续上调评(píng )级。据统计,截(jié )至6月18日,在评级机(jī )构家数(shù )5家及以上(shàng )的个股中(zhōng ),以机(jī )构一致评(píng )级连续3个(gè )月环比(bǐ )提升,最(zuì )新评级较(jiào )3个月前(qián )提升幅度(dù )超6%为条件进行统(tǒng )计,21股浮(fú )出水面。从21只潜力股所处(chù )行业分布来看,半导(dǎo )体行(háng )业个股相对较多,盛(shèng )科通(tōng )信-U、清溢光电、思瑞(ruì )浦、汇顶(dǐng )科技机构一致评(píng )级连续3个(gè )月环比提升且最(zuì )新一致评(píng )级较3月前(qián )提升幅(fú )度超6%。

      全球首(shǒu )例!我(wǒ )国介入式(shì )脑机接口(kǒu )成功实(shí )现人体患(huàn )肢运动功(gōng )能修复(fù )

      上市(shì )公司中,先导智(zhì )能向某全(quán )球前列的电池制造企业成(chéng )功交付固态电池复合转印(yìn )设备与叠片设备,此(cǐ )次交(jiāo )付是(shì )公司继全球首条(tiáo )固态电池(chí )中试线后的又一(yī )里程碑。联赢激光高度重(chóng )视固态电(diàn )池生产设备的研(yán )发制造,已为包括(kuò )头部电(diàn )池厂在内(nèi )的多家客(kè )户提供(gòng )了中试线(xiàn )和量产装(zhuāng )配线。宁德时代(dài )是公司重要客户(hù ),公司为(wéi )其包括固态电池在内的多(duō )种产品生产线提供了设备(bèi )。天铁科技全资孙公(gōng )司安(ān )徽天铁锂电新能源有(yǒu )限公司生(shēng )产的金属锂可用(yòng )于固态电(diàn )池的负极材料。

      机构(gòu )称政策加速推进(jìn )下固态电(diàn )池正进入(rù )从0到1阶(jiē )段

      4月(yuè )销售额实(shí )现同比(bǐ )环比双增(zēng )长,该细(xì )分行业(yè )2025年或正迎(yíng )来全面复(fù )苏

      相较于硅(guī )基半导体,以碳化硅和氮(dàn )化镓为代表的宽禁带半导(dǎo )体在材料端至器件端(duān )的性(xìng )能优势突出,具备高(gāo )频、高效(xiào )、高功率、耐高(gāo )压、耐高(gāo )温等特点,是未(wèi )来半导体(tǐ )行业发展的重要(yào )方向。其(qí )中,碳化(huà )硅的高(gāo )禁带宽度(dù )、高击穿(chuān )电场强(qiáng )度、高电(diàn )子饱和漂(piāo )移速率(lǜ )和高热导(dǎo )率等特性(xìng ),使其(qí )在电力电(diàn )子器件等应用中发挥着至(zhì )关重要的作用。碳化硅材(cái )料在功率半导体器件(jiàn )、射(shè )频半导体器件及新兴(xìng )应用领域(yù )具有广阔的市场(chǎng )应用潜力(lì )。光大证券指出(chū ),随着AI数(shù )据中心、AR眼镜等(děng )行业的增(zēng )长,碳化(huà )硅行业(yè )将随之快(kuài )速增长。国内碳(tàn )化硅衬底(dǐ )企业持续(xù )投资扩(kuò )张产能,有望持续(xù )扩大市(shì )场份额。

      产能释放叠加规模化(huà )效应,这类材料应用场景(jǐng )不断拓展

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  • 2026-01-08

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  相较于硅(guī )基半导体,以碳化硅和氮(dàn )化镓为代表的宽禁带半导(dǎo )体在材料端至器件端(duān )的性(xìng )能优势突出,具备高(gāo )频、高效(xiào )、高功率、耐高(gāo )压、耐高(gāo )温等特点,是未(wèi )来半导体(tǐ )行业发展的重要(yào )方向。其(qí )中,碳化(huà )硅的高(gāo )禁带宽度(dù )、高击穿(chuān )电场强(qiáng )度、高电(diàn )子饱和漂(piāo )移速率(lǜ )和高热导(dǎo )率等特性(xìng ),使其(qí )在电力电(diàn )子器件等应用中发挥着至(zhì )关重要的作用。碳化硅材(cái )料在功率半导体器件(jiàn )、射(shè )频半导体器件及新兴(xìng )应用领域(yù )具有广阔的市场(chǎng )应用潜力(lì )。光大证券指出(chū ),随着AI数(shù )据中心、AR眼镜等(děng )行业的增(zēng )长,碳化(huà )硅行业(yè )将随之快(kuài )速增长。国内碳(tàn )化硅衬底(dǐ )企业持续(xù )投资扩(kuò )张产能,有望持续(xù )扩大市(shì )场份额。

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