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　　根据CFM闪存市场报道，现货旧制(zhì )程DRAM资源(yuán )供应缺(quē )货涨价延续，存储厂商针对渠道(dào )内存条(tiáo )、行业(yè )内存条及LPDDR4X等产品现货价格坚定持(chí )报涨态(tài )度。甬(yǒng )兴证券研报称，受益于供应端推(tuī )动涨价(jià )、库存(cún )逐渐回(huí )归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产(chǎn )业链有(yǒu )望探底(dǐ )回升。

　　相较于硅基半导体，以碳化(huà )硅和氮(dàn )化镓为代表的宽禁带半导体在材(cái )料端至(zhì )器件端(duān )的性能优势突出，具备高频、高(gāo )效、高(gāo )功率、耐高压、耐高温等特点，是未来(lái )半导体(tǐ )行业发(fā )展的重要方向。其中，碳化硅的(de )高禁带(dài )宽度、高击穿电场强度、高电子饱和漂移速率(lǜ )和高热(rè )导率等(děng )特性，使其在电力电子器件等应(yīng )用中发(fā )挥着至(zhì )关重要的作用。碳化硅材料在功(gōng )率半导(dǎo )体器件(jiàn )、射频半导体器件及新兴应用领(lǐng )域具有(yǒu )广阔的(de )市场应用潜力。光大证券指出，随着AI数(shù )据中心(xīn )、AR眼镜等行业的增长，碳化硅行(háng )业将随(suí )之快速(sù )增长。国内碳化硅衬底企业持续投资扩(kuò )张产能(néng )，有望(wàng )持续扩大市场份额。

　　行业媒(méi )体报道(dào )，三星(xīng )SDI正在天安工厂建设的试验生产线(xiàn )“DryEV”上(shàng )启动基(jī )于干法电极的电池验证工作，公(gōng )司此前(qián )已完成(chéng )实验室性能测试。三星SDI正在考虑(lǜ )将干法(fǎ )电极技(jì )术应用于全固态电池，计划将其(qí )作为降(jiàng )低制造(zào )成本、提升设备效率和量产速度(dù )的竞争(zhēng )手段。

　　市(shì )调机构集邦科技表示，三星持续(xù )减少DDR4供(gòng )应，预(yù )期DDR4供不应求情况可能延续到今年(nián )第3季度(dù )，随着(zhe )DDR4价格上涨，将加速用户升级至DDR5。据集邦(bāng )科技调(diào )查，DDR4现货价大幅扬升，6月以来DDR4 8Gb颗(kē )粒现货(huò )均价自(zì )2.73美元，攀高至4.28美元，上涨逾5成；DDR4 16Gb颗粒现(xiàn )货均价(jià )自6.1美元，扬升至9.5美元，涨幅也达(dá )5成以上(shàng )。

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　　上海证券研报指出，2025年4月全球半(bàn )导体销(xiāo )售额实(shí )现同比环比双增长；SIA总裁兼首席(xí )执行官(guān )JohnNeuffer表示：“4月份的全球半导体销售额在2025年(nián )首次出(chū )现环比(bǐ )增长，在美洲和亚太地区销售额(é )增加的(de )推动下(xià )，全球(qiú )市场继续实现同比增长。与此同(tóng )时，在(zài )对人工(gōng )智能、云基础设施和先进消费电(diàn )子产品(pǐn )的需求(qiú )推动下，新的WSTS行业预测表明，2025年(nián )全球市(shì )场将稳(wěn )步增长。”上海证券认为，电子(zǐ )半导体(tǐ )2025年或正(zhèng )在迎来全面复苏，产业竞争格局(jú )有望加(jiā )速出清(qīng )修复，产业盈利周期和相关公司(sī )利润有(yǒu )望持续(xù )复苏。

　　据报道，曾经的“航天专属(shǔ )”，现(xiàn )在变成(chéng )了“民品神器”，碳纤维材料应(yīng )用场景(jǐng )不断拓(tuò )展，也给更多行业带来了新机遇(yù )。一台(tái )电动垂(chuí )直升降飞行器，机身材料超70%用的(de )是碳纤(xiān )维复合(hé )材料，航程可以增加15%到20%。预计到(dào )2030年，电(diàn )动垂直(zhí )起降飞行器领域对碳纤维的需求(qiú )将增至(zhì )1.17万吨，形成超(chāo )百亿级的新兴市场。

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