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　　这一(yī )战(zhàn )略性新兴产(chǎn )业(yè )迎来规模化(huà )发(fā )展的关键窗口(kǒu )期

　　据报道(dào )，近日，诺天(tiān )碳化硅半导体(tǐ )设(shè )备与基材生(shēng )产(chǎn )基地项目投(tóu )产(chǎn )仪式举行。上(shàng )述项目总投资(zī )约1.5亿元，于2024年(nián )2月签约落户株洲高新区，项目主要生产碳(tàn )化(huà )硅半导体设(shè )备(bèi )与基材，产(chǎn )品(pǐn )广泛应用于碳(tàn )化硅单晶生长(zhǎng )与衬底制造、半导体材料石(shí )墨化纯化处理(lǐ )、先进陶瓷与(yǔ )复(fù )合材料研发、光伏、锂电领(lǐng )域高温烧结等(děng )。

　　USGS数据显(xiǎn )示，2024年全球钴(gǔ )矿(kuàng )产量约为28.8万(wàn )金(jīn )属吨，其中刚(gāng )果(金)钴矿产量(liàng )约为22万金属吨(dūn )，同比增长约25%，全球市场占比达到76.4%。国信(xìn )证券研报称，若(ruò )按照2024年的产(chǎn )量(liàng )作为依据，刚(gāng )果(金)禁止钴原(yuán )料出口7个月时(shí )间，至少将影(yǐng )响今年全球钴(gǔ )原(yuán )料供应达10万(wàn )金(jīn )属吨以上，或(huò )将造成国内钴(gǔ )原料供应短缺(quē )的局面。从全(quán )年维度来看，对(duì )钴价持乐观(guān )态(tài )度，预计国内(nèi )电钴价格有望(wàng )重回25万元/吨上(shàng )方运行。另外从长期来看，刚果(金)可能实(shí )施钴出口配额(é )来(lái )提升对于钴(gǔ )的(de )定价权，钴价(jià )中枢有望抬升(shēng )。

　　智能算(suàn )力规模的快速(sù )增长直接催生(shēng )了(le )对高效散热(rè )技(jì )术的迫切需求(qiú )。国泰海通证(zhèng )券表示，AI算力(lì )需求快速增长(zhǎng )，数据中心液(yè )冷(lěng )有望加速发(fā )展(zhǎn )。随着AI应用快(kuài )速发展，算力(lì )密度提升，算(suàn )力设备、数据中心机柜对散热需求大幅增(zēng )长，液冷技术(shù )加(jiā )速导入。国(guó )信(xìn )证券认为，AI时(shí )代，算力芯片(piàn )功率持续提升(shēng )，设备功率密(mì )度触及传统风(fēng )冷(lěng )降温方式极(jí )限(xiàn )，液冷技术应(yīng )用大势所趋。当前阶段，液(yè )冷应用主要采(cǎi )用冷板式技术(shù )；浸没式方案(àn )是(shì )长期发展方向(xiàng )。同时，国内(nèi )PUE考核趋严，运(yùn )营商液冷白皮书规划有望进一步加速国内(nèi )液冷应用。

　　相较于硅基(jī )半(bàn )导体，以碳化(huà )硅和氮化镓为(wéi )代表的宽禁带(dài )半导体在材料(liào )端至器件端的(de )性(xìng )能优势突出(chū )，具备高频、高(gāo )效、高功率、耐高压、耐高(gāo )温等特点，是(shì )未来半导体行(háng )业(yè )发展的重要(yào )方(fāng )向。其中，碳(tàn )化硅的高禁带(dài )宽度、高击穿(chuān )电场强度、高电子饱和漂移速率和高热导(dǎo )率等特性，使(shǐ )其(qí )在电力电子(zǐ )器(qì )件等应用中发(fā )挥着至关重要(yào )的作用。碳化(huà )硅材料在功率(lǜ )半导体器件、射(shè )频半导体器(qì )件(jiàn )及新兴应用领(lǐng )域具有广阔的(de )市场应用潜力(lì )。光大证券指(zhǐ )出，随着AI数据(jù )中(zhōng )心、AR眼镜等(děng )行(háng )业的增长，碳(tàn )化硅行业将随(suí )之快速增长。国内碳化硅衬(chèn )底企业持续投资扩张产能，有望持续扩大(dà )市(shì )场份额。

　　这一战略性新(xīn )兴产业迎来规(guī )模化发展的关(guān )键窗口期

　　相较于硅基半(bàn )导(dǎo )体，以碳化(huà )硅(guī )和氮化镓为代(dài )表的宽禁带半(bàn )导体在材料端(duān )至器件端的性(xìng )能优势突出，具(jù )备高频、高(gāo )效(xiào )、高功率、耐(nài )高压、耐高温(wēn )等特点，是未(wèi )来半导体行业(yè )发展的重要方向。其中，碳(tàn )化硅的高禁带(dài )宽(kuān )度、高击穿(chuān )电(diàn )场强度、高电(diàn )子饱和漂移速(sù )率和高热导率(lǜ )等特性，使其(qí )在电力电子器(qì )件(jiàn )等应用中发(fā )挥(huī )着至关重要的(de )作用。碳化硅(guī )材料在功率半(bàn )导体器件、射(shè )频半导体器件(jiàn )及(jí )新兴应用领(lǐng )域(yù )具有广阔的市(shì )场应用潜力。光大证券指出(chū )，随着AI数据中(zhōng )心、AR眼镜等行业的增长，碳(tàn )化硅行业将随(suí )之(zhī )快速增长。国(guó )内碳化硅衬底(dǐ )企业持续投资(zī )扩张产能，有(yǒu )望持续扩大市(shì )场份额。

　　根(gēn )据高工锂电(diàn )，2025年1-4月，国内固(gù )态电池行业的(de )扩产规划规模(mó )超过50GWh，拟投资(zī )总额约150亿元。申(shēn )万宏源证券(quàn )电(diàn )新团队认为，考虑到目前国(guó )内首条0.1GWh干法电(diàn )极产线已正式(shì )投入运营，同时行业内诸多(duō )厂商纷纷聚焦(jiāo )硫(liú )化物技术路(lù )线(xiàn )，看好干法设(shè )备和硫化物电(diàn )解质是全固态(tài )电池的核心增(zēng )量。

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