浙商日添金货币增聘何康
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      上市公司中,吉林(lín )化纤表示,公司的(de )碳纤(xiān )维工艺(yì )适合(hé )做树脂基的复合材(cái )料,具有多规格产品,可以(yǐ )应用(yòng )到多领(lǐng )域。公司的碳纤维在无(wú )人机(jī )和汽车轻量化方面均进(jìn )行积极拓展(zhǎn )和合(hé )作,已经取得一定(dìng )的效(xiào )果。中复神(shén )鹰表示,依托神鹰西宁(níng )2.5万吨(dūn )碳纤维项目的全面(miàn )投产(chǎn ),在连(lián )续两(liǎng )期工程的技术锤炼和制(zhì )造经(jīng )验加持下,目前已(yǐ )经具(jù )备成熟(shú )掌握(wò )万吨碳纤维制造技(jì )术能(néng )力,是国内唯一一家成(chéng )熟掌(zhǎng )握干喷(pēn )湿纺(fǎng )万吨碳纤维产业化(huà )技术(shù )的企业。中简科技生产(chǎn )的碳纤维材(cái )料目(mù )前主要用于航空航(háng )天领(lǐng )域,无人机(jī )是其中应用方向之一。

      AI算力需求拉动下该(gāi )细分(fèn )领域有望加(jiā )速发展

      据报道,刚(gāng )果金(jīn )公布,2025年6月21日起,战略(luè )矿产市(shì )场监(jiān )管局(ARECOMS)董事会采取了重大(dà )监管措施,鉴于市场上(shàng )库存(cún )量持续(xù )高企(qǐ ),已决定将临时禁(jìn )令的(de )期限自本决定生效之日(rì )起再延长三(sān )个月(yuè ),适用于刚果所有(yǒu )源自(zì )采矿的钴出(chū )口。

      市调机构集邦(bāng )科技(jì )表示,三星持续减(jiǎn )少DDR4供(gòng )应,预期DDR4供(gòng )不应求情况可能延续到(dào )今年(nián )第3季度,随着DDR4价格(gé )上涨(zhǎng ),将加(jiā )速用(yòng )户升级至DDR5。据集邦科技(jì )调查,DDR4现货价大幅扬升(shēng ),6月(yuè )以来DDR4 8Gb颗(kē )粒现(xiàn )货均价自2.73美元,攀(pān )高至(zhì )4.28美元,上涨逾5成;DDR4 16Gb颗粒(lì )现货均价自(zì )6.1美元(yuán ),扬升至9.5美元,涨(zhǎng )幅也(yě )达5成以上。

      市调机(jī )构集邦科技(jì )表示(shì ),三星持续减少DDR4供(gòng )应,预期DDR4供不应(yīng )求情况可能延续到今年(nián )第3季(jì )度,随着DDR4价格上涨(zhǎng ),将(jiāng )加速用(yòng )户升(shēng )级至DDR5。据集邦科技调查(chá ),DDR4现货价大幅扬升,6月(yuè )以来(lái )DDR4 8Gb颗粒现(xiàn )货均(jun1 )价自2.73美元,攀高至(zhì )4.28美元(yuán ),上涨逾5成;DDR4 16Gb颗粒现货(huò )均价自6.1美元(yuán ),扬(yáng )升至9.5美元,涨幅也(yě )达5成(chéng )以上。

      4月销售额实(shí )现同比环比(bǐ )双增(zēng )长,该细分行业2025年(nián )或正(zhèng )迎来全面复(fù )苏

      相较于硅基半导(dǎo )体,以碳化硅和氮化镓(jiā )为代(dài )表的宽(kuān )禁带(dài )半导体在材料端至器件(jiàn )端的性能优势突出,具(jù )备高(gāo )频、高(gāo )效、高功率、耐高压、耐高(gāo )温等特点,是未来半导(dǎo )体行业发展(zhǎn )的重(chóng )要方向。其中,碳(tàn )化硅(guī )的高禁带宽度、高击穿(chuān )电场强度、高电(diàn )子饱和漂移速率和(hé )高热(rè )导率等特性(xìng ),使其在电力电子器件(jiàn )等应(yīng )用中发挥着至关重(chóng )要的(de )作用。碳化(huà )硅材料在功率半导体器(qì )件、射频半导体器件及(jí )新兴(xìng )应用领(lǐng )域具(jù )有广阔的市场应用(yòng )潜力(lì )。光大证券指出,随着(zhe )AI数据中心、AR眼镜(jìng )等行业的增长,碳(tàn )化硅(guī )行业将随之快速增长。国内碳化硅(guī )衬底(dǐ )企业持续投资扩张(zhāng )产能(néng ),有望持续(xù )扩大市场份额。

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  • 2026-01-14

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  相较于硅基半导(dǎo )体,以碳化硅和氮化镓(jiā )为代(dài )表的宽(kuān )禁带(dài )半导体在材料端至器件(jiàn )端的性能优势突出,具(jù )备高(gāo )频、高(gāo )效、高功率、耐高压、耐高(gāo )温等特点,是未来半导(dǎo )体行业发展(zhǎn )的重(chóng )要方向。其中,碳(tàn )化硅(guī )的高禁带宽度、高击穿(chuān )电场强度、高电(diàn )子饱和漂移速率和(hé )高热(rè )导率等特性(xìng ),使其在电力电子器件(jiàn )等应(yīng )用中发挥着至关重(chóng )要的(de )作用。碳化(huà )硅材料在功率半导体器(qì )件、射频半导体器件及(jí )新兴(xìng )应用领(lǐng )域具(jù )有广阔的市场应用(yòng )潜力(lì )。光大证券指出,随着(zhe )AI数据中心、AR眼镜(jìng )等行业的增长,碳(tàn )化硅(guī )行业将随之快速增长。国内碳化硅(guī )衬底(dǐ )企业持续投资扩张(zhāng )产能(néng ),有望持续(xù )扩大市场份额。

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