美团拉升涨近5%股价创近2个月新高,南下资金持续13日加仓!美团闪购618数据亮眼,券商:外卖短期受竞争影响,但长期核心壁垒仍旧兼顾
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      得(dé )益于政(zhèng )策利好与技术突(tū )破的双(shuāng )轮驱动,未来3年(nián )至5年,脑机接口医疗产(chǎn )品有望迎来爆发期。太(tài )平洋证券分析指出,脑(nǎo )机接口技术近年(nián )来从实(shí )验室研究大步(bù )迈(mài )向市场(chǎng )应用,展现出(chū )蓬(péng )勃发展(zhǎn )态势。当下,侵(qīn )入式和非侵入式产品(pǐn )研(yán )发均有序推进(jìn )。尽管(guǎn )该(gāi )技术仍处于早(zǎo )期发展(zhǎn )阶(jiē )段,但研发和(hé )应用潜(qián )力巨大;随着技(jì )术的迭(dié )代和伦理规范的(de )健全完善,脑机接口有(yǒu )望让科技之光加速照进(jìn )现实。

      产能释放叠(dié )加规模化效应,这类材(cái )料应用场景不(bú )断(duàn )拓展

      产能释放叠(dié )加(jiā )规模化(huà )效应,这类材(cái )料(liào )应用场景不断拓展

      上市公司中,中洲特(tè )材(cái )是核电公司的(de )上游供(gòng )应(yīng )商,生产的阀(fá )门、焊(hàn )材等产品已为中(zhōng )核、中(zhōng )广核、国核等核(hé )电设施配套。国光电气(qì )在互动易表示超导材料(liào )作为磁约束可控核聚变(biàn )装置的一项关键(jiàn )材料,其进步将有力(lì )的(de )推动磁(cí )约束可控核聚(jù )变(biàn )工程化进度。公司所(suǒ )研(yán )制的偏滤器、第一壁(bì )等(děng )产品是可控核(hé )聚变装(zhuāng )置(zhì )的核心零部件(jiàn )。

      这类半导体材料(liào )性能优(yōu )势突出,是未来(lái )行业发(fā )展的重要方向

      相较于硅基半导体,以碳化硅和氮化镓为代(dài )表的宽禁带半导(dǎo )体在材(cái )料端至器件端的(de )性能优(yōu )势突出,具备(bèi )高(gāo )频、高(gāo )效、高功率、耐(nài )高压、耐高温等特点(diǎn ),是未来半导体行业发(fā )展(zhǎn )的重要方向。其中,碳(tàn )化硅的高禁带(dài )宽度、高击穿电场强度(dù )、高电(diàn )子饱和漂移速率(lǜ )和高热导率等特性,使(shǐ )其在电力电子器件等应(yīng )用中发挥着至关重要的(de )作用。碳化硅材(cái )料在功(gōng )率半导体器件、射频半(bàn )导体器件及新(xīn )兴(xìng )应用领(lǐng )域具有广阔的(de )市(shì )场应用潜力。光大证(zhèng )券(quàn )指出,随着AI数据中心(xīn )、AR眼镜等行业的(de )增长,碳(tàn )化硅行业将随(suí )之快速(sù )增长。国内碳化(huà )硅衬底(dǐ )企业持续投资扩(kuò )张产能,有望持续扩大(dà )市场份额。

      全球首(shǒu )例!我国介入式脑机接(jiē )口成功实现人体(tǐ )患肢运(yùn )动功能修复

      机构称(chēng )三星减少DDR4供应(yīng ),DDR4可能供(gòng )不应求到第3季(jì )度(dù )

      电极制作可采用(yòng )湿(shī )法和干法工艺,目前(qián )行(háng )业多采用湿法(fǎ )涂浆方(fāng )式(shì )制作电极,近(jìn )年干法(fǎ )工艺成为行业发(fā )展趋势(shì )。东方证券认为(wéi ),设备是规模量产的基(jī )石,有望成为降本突破(pò )口。通过拆解固态电池(chí )核心制造工艺发(fā )现:干(gàn )法工艺不仅是电(diàn )池降本(běn )的有效手段,也(yě )是天然(rán )适配全固态电(diàn )池(chí )的制片工艺;等静压(yā )的(de )材料致密化能力或可(kě )迁(qiān )移至固态电池(chí )中,改(gǎi )善(shàn )孔隙率与电极(jí )/电解质(zhì )的界面复合问题(tí );叠片(piàn )在固态电池装配(pèi )工艺中有望成为主流,而设备精度要求大幅提(tí )升。全固态电池获得全(quán )产业链的共同关(guān )注与合(hé )力布局,方向性(xìng )与趋势(shì )性明确。当前(qián )工(gōng )艺设备(bèi )成熟度不足成(chéng )为(wéi )固态电池产业化的主(zhǔ )要(yào )桎梏之一,掌握核心(xīn )设(shè )备供应能力的(de )厂商有(yǒu )望(wàng )受益。

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  • 2026-01-07

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  这类半导体材料(liào )性能优(yōu )势突出,是未来(lái )行业发(fā )展的重要方向

  相较于硅基半导体,以碳化硅和氮化镓为代(dài )表的宽禁带半导(dǎo )体在材(cái )料端至器件端的(de )性能优(yōu )势突出,具备(bèi )高(gāo )频、高(gāo )效、高功率、耐(nài )高压、耐高温等特点(diǎn ),是未来半导体行业发(fā )展(zhǎn )的重要方向。其中,碳(tàn )化硅的高禁带(dài )宽度、高击穿电场强度(dù )、高电(diàn )子饱和漂移速率(lǜ )和高热导率等特性,使(shǐ )其在电力电子器件等应(yīng )用中发挥着至关重要的(de )作用。碳化硅材(cái )料在功(gōng )率半导体器件、射频半(bàn )导体器件及新(xīn )兴(xìng )应用领(lǐng )域具有广阔的(de )市(shì )场应用潜力。光大证(zhèng )券(quàn )指出,随着AI数据中心(xīn )、AR眼镜等行业的(de )增长,碳(tàn )化硅行业将随(suí )之快速(sù )增长。国内碳化(huà )硅衬底(dǐ )企业持续投资扩(kuò )张产能,有望持续扩大(dà )市场份额。

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