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外交部发言人宣布：经中欧双方商定，欧洲理事会主席科斯塔、欧盟委员会主席冯德莱恩将于7月24日访华在线播放演示：

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　　6月22日，跨(kuà )境(jìng )支付通正式上线，这(zhè )标(biāo )志着内地与香港(gǎng )快(kuài )速(sù )支付系统实现互联互通，今后两地居民可(kě )实(shí )时办理跨境汇款。据(jù )了(le )解，跨境支付通(tōng )是(shì )内(nèi )地与香港金融基础设(shè )施互联互通方面的一(yī )项重要创新举措，充(chōng )分(fèn )利(lì )用了内地与香港(gǎng )成(chéng )熟(shú )的快速支付系统，为(wéi )两地居民提供更便宜、更高效、更方便的(de )跨(kuà )境汇款服务。

　　三(sān )星(xīng )SDI正在考虑将干法(fǎ )电(diàn )极(jí )技术应用于全固态电池

　　电极制作可采(cǎi )用(yòng )湿法和干法工艺，目(mù )前(qián )行业多采用湿法(fǎ )涂(tú )浆(jiāng )方式制作电极，近年(nián )干法工艺成为行业发(fā )展趋势。东方证券认(rèn )为(wéi )，设备是规模量产(chǎn )的(de )基(jī )石，有望成为降本(běn )突(tū )破口。通过拆解固态电池核心制造工艺发(fā )现(xiàn )：干法工艺不仅是(shì )电(diàn )池(chí )降本的有效手段(duàn )，也(yě )是天然适配全固态电池的制片工艺；等静(jìng )压(yā )的材料致密化能力(lì )或(huò )可(kě )迁移至固态电池(chí )中(zhōng )，改善孔隙率与电极/电(diàn )解质的界面复合问题(tí )；叠片在固态电池装(zhuāng )配(pèi )工(gōng )艺中有望成为主(zhǔ )流(liú )，而设备精度要求大(dà )幅(fú )提升。全固态电池(chí )获得全产业链的共同关(guān )注(zhù )与合力布局，方向(xiàng )性(xìng )与(yǔ )趋势性明确。当(dāng )前(qián )工(gōng )艺设备成熟度不足成为固态电池产业化的(de )主(zhǔ )要桎梏之一，掌握(wò )核(hé )心(xīn )设备供应能力的(de )厂(chǎng )商(shāng )有望受益。

　　智能(néng )算力规模的快速增长(zhǎng )直接催生了对高效散(sàn )热(rè )技(jì )术的迫切需求。国(guó )泰(tài )海通证券表示，AI算(suàn )力(lì )需求快速增长，数据中心液冷有望加速发(fā )展(zhǎn )。随着AI应用快速发(fā )展(zhǎn )，算力密度提升，算(suàn )力(lì )设备、数据中心机柜对散热需求大幅增长(zhǎng )，液冷技术加速导入(rù )。国(guó )信证券认为，AI时(shí )代(dài )，算力芯片功率持续提(tí )升，设备功率密度触及传统风冷降温方式(shì )极(jí )限(xiàn )，液冷技术应用(yòng )大(dà )势(shì )所趋。当前阶段，液(yè )冷应用主要采用冷板式技术；浸没式方案(àn )是(shì )长期发展方向。同(tóng )时(shí )，国内PUE考核趋严，运(yùn )营(yíng )商液冷白皮书规划有望进一步加速国内液(yè )冷应用。

　　媒体报(bào )道(dào )，近期，多家企业(yè )陆(lù )续(xù )披露了其在固态电池(chí )领域的最新进展和量产时间。业界认为，凭(píng )借(jiè )高能量密度、高(gāo )安(ān )全(quán )性和快速充电能力(lì )，固态电池有望成为下一代电池的主流技术(shù )路(lù )线之一。随着技术(shù )研(yán )发(fā )与成本瓶颈不断(duàn )突(tū )破(pò )，固态电池的产业化进程正在加速，未来(lái )有望在低空经济、机(jī )器(qì )人(rén )、新能源汽车等(děng )多(duō )重(chóng )场景得到广泛应用。

　　机构称三星减少DDR4供应，DDR4可能供不应求(qiú )到(dào )第(dì )3季度

　　根据CFM闪(shǎn )存(cún )市(shì )场报道，现货旧制(zhì )程(chéng )DRAM资源供应缺货涨价延续，存储厂商针对渠(qú )道(dào )内存条、行业内存(cún )条(tiáo )及(jí )LPDDR4X等产品现货价格(gé )坚(jiān )定(dìng )持报涨态度。甬兴证券研报称，受益于供(gòng )应端推动涨价、库存(cún )逐(zhú )渐(jiàn )回归正常、AI带动(dòng )HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有(yǒu )望探底回升。

　　相较于硅基半导体，以(yǐ )碳(tàn )化硅和氮化镓为代(dài )表(biǎo )的(de )宽禁带半导体在材(cái )料(liào )端至器件端的性能优势突出，具备高频、高(gāo )效、高功率、耐高(gāo )压(yā )、耐高温等特点，是(shì )未(wèi )来半导体行业发展的重要方向。其中，碳(tàn )化硅的高禁带宽度、高(gāo )击(jī )穿电场强度、高(gāo )电(diàn )子(zǐ )饱和漂移速率和高热(rè )导率等特性，使其在电力电子器件等应用(yòng )中(zhōng )发挥着至关重要的(de )作(zuò )用(yòng )。碳化硅材料在功(gōng )率(lǜ )半导体器件、射频半导体器件及新兴应用(yòng )领(lǐng )域具有广阔的市场(chǎng )应(yīng )用(yòng )潜力。光大证券(quàn )指(zhǐ )出(chū )，随着AI数据中心、AR眼镜等行业的增长，碳(tàn )化硅行业将随之快速(sù )增(zēng )长(zhǎng )。国内碳化硅衬(chèn )底(dǐ )企(qǐ )业持续投资扩张产能(néng )，有望持续扩大市场份额。

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