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稳赢网网友：　　相较于硅基半导体，以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体在材料端至器件端的性能优势突出，具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温等特点，是未来半导体行业发展的重要方向。其中，碳化硅的高禁带宽度、高击穿电场强度、高电子饱和漂移速率和高热导率等特性，使其在电力电子器件等应用中发挥着至关重要的作用。碳化硅材料在功率半导体器件、射频半导体器件及新兴应用领域具有广阔的市场应用潜力。光大证券指出，随着AI数据中心、AR眼镜等行业的增长，碳化硅行业将随之快速增长。国内碳化硅衬底企业持续投资扩张产能，有望持续扩大市场份额。

股海冷水坑网友：　　据国家电力投资集团有限公司消息，近日，国家电投所属国电投核力创芯(无锡)科技有限公司暨国家原子能机构核技术(功率芯片质子辐照)研发中心，完成首批氢离子注入性能优化芯片产品客户交付。国家电投表示，这标志着我国已全面掌握功率半导体高能氢离子注入核心技术和工艺，补全了我国半导体产业链中缺失的重要一环，为半导体离子注入设备和工艺的全面国产化奠定了基础。