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　　相较于硅基半导体，以碳化(huà )硅和氮(dàn )化镓为(wéi )代表的宽禁带半导体在材(cái )料端至(zhì )器件端(duān )的性能(néng )优势突出，具备高频、高(gāo )效、高(gāo )功率、耐高压(yā )、耐高(gāo )温等特点，是未来半导体(tǐ )行业发(fā )展的重(chóng )要方向(xiàng )。其中，碳化硅的高禁带(dài )宽度、高击穿(chuān )电场强(qiáng )度、高电子饱和漂移速率(lǜ )和高热(rè )导率等(děng )特性，使其在电力电子器件等应(yīng )用中发(fā )挥着至(zhì )关重要(yào )的作用。碳化硅材料在功(gōng )率半导(dǎo )体器件(jiàn )、射频(pín )半导体器件及新兴应用领(lǐng )域具有(yǒu )广阔的(de )市场应(yīng )用潜力(lì )。光大证券指出，随着AI数(shù )据中心(xīn )、AR眼镜(jìng )等行业(yè )的增长，碳化硅行业将随(suí )之快速(sù )增长。国内碳(tàn )化硅衬底企业持续投资扩(kuò )张产能(néng )，有望(wàng )持续扩(kuò )大市场份额。

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