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　　相较于硅(guī )基半导体(tǐ )，以碳化硅和氮(dàn )化镓为代表的宽禁带半导(dǎo )体(tǐ )在材料端至器件(jiàn )端的性(xìng )能(néng )优势突出，具备(bèi )高频、高(gāo )效、高功率、耐(nài )高压、耐(nài )高温等特(tè )点，是未来半导(dǎo )体行业发(fā )展的重要方向。其(qí )中，碳化硅的高禁带宽(kuān )度(dù )、高击穿电场强(qiáng )度、高电(diàn )子饱和漂移速率(lǜ )和高热导(dǎo )率等特性(xìng )，使其(qí )在电力电(diàn )子器件等(děng )应用中发挥着至(zhì )关重要的作用。碳化硅材(cái )料(liào )在功率半导体器(qì )件、射(shè )频(pín )半导体器件及新(xīn )兴应用领(lǐng )域具有广阔的市(shì )场应用潜(qián )力。光大(dà )证券指出，随着(zhe )AI数据中心(xīn )、AR眼镜等行业的(de )增(zēng )长，碳化硅行业将随之(zhī )快(kuài )速增长。国内碳(tàn )化硅衬底(dǐ )企业持续投资扩(kuò )张产能，有望持续(xù )扩大市(shì )场份额。

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　　得益于(yú )政策利好与技术(shù )突破的双(shuāng )轮驱动，未来3年至5年，脑(nǎo )机接口医(yī )疗产品有望迎来(lái )爆发期。太平洋证券分析(xī )指(zhǐ )出，脑机接口技(jì )术近年来(lái )从实验室研究大(dà )步迈向市(shì )场应用，展现出(chū )蓬勃发展(zhǎn )态势。当(dāng )下，侵入式和非(fēi )侵入式产品研发均有序推(tuī )进(jìn )。尽管该技术仍(réng )处于早(zǎo )期(qī )发展阶段，但研(yán )发和应用(yòng )潜力巨大；随着(zhe )技术的迭(dié )代和伦理(lǐ )规范的健全完善(shàn )，脑机接(jiē )口有望让科技之(zhī )光加速照进现实。

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