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　　全球首例！我(wǒ )国(guó )介(jiè )入式脑机接口成功实现人体患(huàn )肢(zhī )运(yùn )动功能修复(fù )

　　媒体报道，近期，多家企(qǐ )业(yè )陆(lù )续(xù )披露了其在固态电池领域的最(zuì )新(xīn )进(jìn )展和量产时间。业界认为，凭(píng )借高能量密(mì )度(dù )、高安全性和快速充电能力，固态(tài )电(diàn )池(chí )有望成为下一代电池的主流技(jì )术(shù )路线之一。随(suí )着技术研发与成本瓶颈不断突破(pò )，固(gù )态电池的产业化进程正在加速(sù )，未(wèi )来有望在低(dī )空经济、机器人、新能源汽车(chē )等(děng )多(duō )重(chóng )场景得到广泛应用。

　　近期(qī )，科(kē )创板连续受理3家公司，支持鼓(gǔ )励鼓励“硬(yìng )科(kē )技(jì )”企业。高温超导材料正是当前(qián )新(xīn )材(cái )料产业的前沿方向，而基于超(chāo )导(dǎo )磁体的磁约(yuē )束(shù )聚变技术最具工程化潜力。上半(bàn )年(nián )来(lái )，我国可控核聚变领域进展不(bú )断(duàn )。华泰证券发(fā )布研报称，可控核聚变正从短(duǎn )期(qī )主(zhǔ )题(tí )投资变成长期产业投资，预计(jì )未(wèi )来(lái )几年全球每年有约2~3个核聚变装(zhuāng )置建设投产(chǎn )，行(háng )业加速从0到1，产业链招标和订单(dān )有(yǒu )望(wàng )迎来持续催化。

　　上市公司(sī )中(zhōng )，天岳先进(jìn )碳(tàn )化硅衬底可广泛应用于电动汽车(chē )、AI数(shù )据中心、光伏系统、AI眼镜、轨(guǐ )道(dào )交(jiāo )通、电网、家电及先进通信基站等领域。公(gōng )司(sī )已(yǐ )跻身为国际知名半导体公司的(de )重(chóng )要(yào )供应商，公司的产品亦在国际(jì )上获得广泛(fàn )认(rèn )可(kě )。芯联集成8英寸碳化硅产线顺利(lì )推(tuī )进(jìn )中，相关产品已陆续通过相关(guān )验(yàn )证，预计下(xià )半(bàn )年开始量产。英诺激光依托固体(tǐ )及(jí )超(chāo )快激光器优势，主要布局消费(fèi )电(diàn )子(zǐ )、3D打印、生(shēng )物医疗、光伏、Micro LED、半导体等行(háng )业(yè )。在(zài )半导体领域提供的主要产品为(wéi )碳(tàn )化(huà )硅退火制程的激光器，客户以(yǐ )国外知名半(bàn )导(dǎo )体(tǐ )装备公司为主。

　　得益于政策(cè )利(lì )好(hǎo )与技术突破的双轮驱动，未来(lái )3年(nián )至5年，脑机(jī )接(jiē )口医疗产品有望迎来爆发期。太(tài )平(píng )洋(yáng )证券分析指出，脑机接口技术(shù )近(jìn )年(nián )来从实验室(shì )研究大步迈向市场应用，展现(xiàn )出(chū )蓬(péng )勃(bó )发展态势。当下，侵入式和非(fēi )侵(qīn )入(rù )式产品研发均有序推进。尽管(guǎn )该技术仍处(chù )于(yú )早(zǎo )期(qī )发展阶段，但研发和应用潜力(lì )巨(jù )大(dà )；随着技术的迭代和伦理规范(fàn )的(de )健全完善，脑(nǎo )机接口有望让科技之光加速照进(jìn )现(xiàn )实(shí )。

　　上市公司中，中洲特材(cái )是(shì )核(hé )电公司的上(shàng )游供应商，生产的阀门、焊材(cái )等(děng )产(chǎn )品(pǐn )已为中核、中广核、国核等核(hé )电(diàn )设(shè )施配套。国光电气在互动易表(biǎo )示超导材料(liào )作(zuò )为(wéi )磁(cí )约束可控核聚变装置的一项关(guān )键(jiàn )材(cái )料，其进步将有力的推动磁约(yuē )束(shù )可控核聚变(biàn )工(gōng )程化进度。公司所研制的偏滤器(qì )、第(dì )一壁等产品是可控核聚变装置(zhì )的(de )核心零部件。

　　相较于硅基半导体，以碳(tàn )化(huà )硅(guī )和(hé )氮化镓为代表的宽禁带半导体(tǐ )在(zài )材(cái )料端至器件端的性能优势突出，具备高频(pín )、高(gāo )效(xiào )、高功率、耐高压、耐高温等(děng )特(tè )点(diǎn )，是未来半导体行业发展的重(chóng )要方向。其中(zhōng )，碳化硅的高禁带宽度、高击穿电(diàn )场(chǎng )强(qiáng )度、高电子饱和漂移速率和高(gāo )热(rè )导率等特性，使其在电力电子器件等应用中(zhōng )发(fā )挥(huī )着(zhe )至关重要的作用。碳化硅材料(liào )在(zài )功(gōng )率半导体器件、射频半导体器件及新兴应(yīng )用(yòng )领(lǐng )域(yù )具有广阔的市场应用潜力。光(guāng )大(dà )证(zhèng )券指出，随着AI数据中心、AR眼镜(jìng )等行业的增长(zhǎng )，碳化硅行业将随之快速增长。国(guó )内(nèi )碳(tàn )化硅衬底企业持续投资扩张产(chǎn )能(néng )，有望持续扩(kuò )大市场份额。

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