君实生物拟H股募10亿港元股价跌10% A股募86亿零分红
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      相(xiàng )较于(yú )硅基(jī )半导(dǎo )体,以碳(tàn )化硅(guī )和氮(dàn )化镓为代表的宽禁带半导体在材料端至器件端的性能优势(shì )突出(chū ),具备高(gāo )频、高效(xiào )、高(gāo )功率(lǜ )、耐高压、耐(nài )高温等特点,是未来半导体行业发展的重要(yào )方向。其中,碳化(huà )硅的(de )高禁(jìn )带宽(kuān )度、高击(jī )穿电(diàn )场强度、高电子饱和漂移速率和高热导率等特性,使其在(zài )电力(lì )电子(zǐ )器件(jiàn )等应(yīng )用中(zhōng )发挥(huī )着至(zhì )关重要的作用。碳化硅材料在功率半导体器件、射频半导(dǎo )体器(qì )件及新兴(xìng )应用(yòng )领域(yù )具有(yǒu )广阔(kuò )的市场应用潜(qián )力。光大证券指出,随着AI数据中心、AR眼镜等(děng )行业的增长,碳化(huà )硅行(háng )业将(jiāng )随之(zhī )快速增长(zhǎng )。国(guó )内碳化硅衬底企业持续投资扩张产能,有望持续扩大市场(chǎng )份额(é )。

      电(diàn )极制(zhì )作可(kě )采用(yòng )湿法(fǎ )和干法工艺,目前行业多采用湿法涂浆方式制作电极,近(jìn )年干(gàn )法工艺成(chéng )为行(háng )业发(fā )展趋(qū )势。东方证券认为(wéi ),设备是规模量产的基石,有望成为降本突(tū )破口。通过拆(chāi )解固(gù )态电(diàn )池核(hé )心制(zhì )造工艺发(fā )现:干法工艺不仅是电池降本的有效手段,也是天然适配全固(gù )态电(diàn )池的(de )制片(piàn )工艺(yì );等(děng )静压(yā )的材(cái )料致密化能力或可迁移至固态电池中,改善孔隙率与电极(jí )/电解(jiě )质的界面(miàn )复合(hé )问题(tí );叠(dié )片在(zài )固态电池装配(pèi )工艺中有望成为主流,而设备精度要求大幅(fú )提升。全固态(tài )电池(chí )获得(dé )全产(chǎn )业链(liàn )的共同关(guān )注与(yǔ )合力布局,方向性与趋势性明确。当前工艺设备成熟度不(bú )足成(chéng )为固(gù )态电(diàn )池产(chǎn )业化(huà )的主(zhǔ )要桎(zhì )梏之一,掌握核心设备供应能力的厂商有望受益。

      机(jī )构称(chēng )政策加速(sù )推进(jìn )下固(gù )态电(diàn )池正(zhèng )进入从0到1阶段(duàn )

      媒体报道,近期,多家企业陆续披露了(le )其在固态电池(chí )领域(yù )的最(zuì )新进(jìn )展和(hé )量产时间(jiān )。业(yè )界认为,凭借高能量密度、高安全性和快速充电能力,固(gù )态电(diàn )池有(yǒu )望成(chéng )为下(xià )一代(dài )电池(chí )的主(zhǔ )流技术路线之一。随着技术研发与成本瓶颈不断突破,固(gù )态电(diàn )池的产业(yè )化进(jìn )程正(zhèng )在加(jiā )速,未来有望在低(dī )空经济、机器人、新能源汽车等多重场景得(dé )到广泛应用。

      这一(yī )战略(luè )性新(xīn )兴产业迎(yíng )来规(guī )模化发展的关键窗口期

      相较于硅基半导体,以碳化硅(guī )和氮(dàn )化镓(jiā )为代(dài )表的(de )宽禁(jìn )带半(bàn )导体(tǐ )在材料端至器件端的性能优势突出,具备高频、高效、高(gāo )功率(lǜ )、耐高压(yā )、耐(nài )高温(wēn )等特(tè )点,是未来半导体行业发展的重要方向。其中,碳化硅的高禁(jìn )带宽度、高击(jī )穿电(diàn )场强(qiáng )度、高电(diàn )子饱和漂移速(sù )率和高热导率等特性,使其在电力电子器件等应用中发挥(huī )着至(zhì )关重(chóng )要的(de )作用(yòng )。碳化硅(guī )材料(liào )在功率半导体器件、射频半导体器件及新兴应用领域具有(yǒu )广阔(kuò )的市场应(yīng )用潜(qián )力。光大(dà )证券(quàn )指出,随着AI数据中心、AR眼镜等行业的增长,碳化硅行业将(jiāng )随之快速增长(zhǎng )。国(guó )内碳(tàn )化硅(guī )衬底(dǐ )企业持续投资(zī )扩张产能,有望持续扩大市场份额。

      该国宣布将这一(yī )金属(shǔ )出口(kǒu )临时(shí )禁令(lìng )再延长三(sān )个月(yuè )

      机构称三星减少DDR4供应,DDR4可能供不应求到第3季度

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  • 2025-12-28

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  相较于硅基半导体,以碳化硅(guī )和氮(dàn )化镓(jiā )为代(dài )表的(de )宽禁(jìn )带半(bàn )导体(tǐ )在材料端至器件端的性能优势突出,具备高频、高效、高(gāo )功率(lǜ )、耐高压(yā )、耐(nài )高温(wēn )等特(tè )点,是未来半导体行业发展的重要方向。其中,碳化硅的高禁(jìn )带宽度、高击(jī )穿电(diàn )场强(qiáng )度、高电(diàn )子饱和漂移速(sù )率和高热导率等特性,使其在电力电子器件等应用中发挥(huī )着至(zhì )关重(chóng )要的(de )作用(yòng )。碳化硅(guī )材料(liào )在功率半导体器件、射频半导体器件及新兴应用领域具有(yǒu )广阔(kuò )的市场应(yīng )用潜(qián )力。光大(dà )证券(quàn )指出,随着AI数据中心、AR眼镜等行业的增长,碳化硅行业将(jiāng )随之快速增长(zhǎng )。国(guó )内碳(tàn )化硅(guī )衬底(dǐ )企业持续投资(zī )扩张产能,有望持续扩大市场份额。

  该国宣布将这一(yī )金属(shǔ )出口(kǒu )临时(shí )禁令(lìng )再延长三(sān )个月(yuè )

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